SLM27511器件是单（dān）通道高（gāo）速低边门极（jí）驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功（gōng）率开关。SLM27511采用一（yī）种能够从内部极大（dà）的降低直（zhí）通电流的设计，将高（gāo）峰值的源（yuán）电（diàn）流和灌电流脉冲提供给电容负载（zǎi），以实现轨到轨的（de）驱（qū）动能力和典型值（zhí）仅为 18ns 的极小传播延迟（chí）。
SLM27511在（zài）12V的VDD供电（diàn）情况下（xià），能够提供4A的峰值源电流和5A的峰值灌（guàn）电（diàn）流（liú）。
低（dī）成本的门极（jí）驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分离（lí）器（qì）件方案（àn）
4A 的峰值源电流（liú）和5A的峰值灌电流能力
快速的传输延时（典型值为 18ns）
快速的上升和（hé）下降时间（典型值（zhí）为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单（dān）电源范围
VDD 欠压闭锁功能
兼（jiān）容 TTL 和 CMOS 的（de）输入逻辑电压阈值
双（shuāng）输入设计（jì）(可选择反相或非反相驱动配置)
输入（rù）浮空时输出保持为（wéi）低
工作（zuò）温度范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-6 的封（fēng）装（zhuāng）选项（xiàng）
400 080 9938
